მემრისტორ-დიოდური კომბინაციის მიღება მახსოვრობის სისტემისთვის

ავტორი: ალექსანდრე ბერიაშვილი
საკვანძო სიტყვები: მემრისტორი, დიოდი, ჰაფნიუმი, ვოლტ-ამპერული მახასიათებელი
ანოტაცია:

განხილულია გარდამავალ მეტალ ჰაფნიუმის ოქსიდების აქტიურ შრიანი მემრისტორის მიღებისა და ინტეგრალური მიკროსქემის ელემენტის - დიოდის კომბინაციის შექმნის ტექნოლოგიური პროცესები. შემუშავდა მემრისტორის და დიოდის კომბინაციის მიღების ტექნოლოგიური მარშრუტი. მიღებულ იქნა ერთ პროცესში, ჰაფნიუმის სრული და არასრული ოქსიდებისგან შემდგარი მერმისტორები, მათი მაგნეტრონული გაფრქვევით ჟანგბადის და არგონის არეში, სხვადასხვა პარციალურ წნევებზე. ცალკეული ოქსიდური ფირების ელექტრული და სტრუქტურული მახასიათებლების შესწავლისთვის, იმავე ტექნოლოგიურ რეჟიმში მიღებულ იქნა თითოეული ოქსიდური შრე სილიციუმის ნახევარგამტარულ და დიელექტრუკულ საფენებზე. მიღებულ იქნა სილიციუმზე დიოდური სტრუქტურა მაღალი გარღვევის ძაბვით. შემუშავდა ტექნოლოგიური მარშრუტი მემრისტორის აქტიური შრის კვლევისთვის სხვადასხვა ძირითადი ამოცანების გადაწყვეტისთვის როგორებიცაა, მისი მიღების მეთოდის ოპტიმიზაცია და შეთავსება ინტეგრალური მიკროსქემის სხვა ტექნოლოგიურ პროცესებთან. ყოველივე ამისთვის ჩატარდა სილიციუმის საფენებზე დიოდის და მემრისტორის ძაბვა-დენის (I-V) მახასიათებლების და ჰაფნიუმის ოქსიდური ფირების ხაოიანობის გაზომვები.