ჰეტეროსტრუქტურების მიღება მოლეკულურ-სხივური ეპიტაქსიის ტექნოლოგიით

ფუნდამენტური მეცნიერების და უახლესი ტექნოლოგიების მჭიდრო ურთიერთობამ გამოიწვია მიკრო, ნანო და ოპტოელექტრონიკის ინტენსიური განვითარება. ხელსაწყოები, ნახევარგამტარ მასალებზე, გამოიყენება ისეთ სფეროებში როგორიცაა კვანტური და რადიაციული ფიზიკა, მედიცინა, გარემოს მონიტორინგი, კოსმოსური კვლევები და ა.შ. ამ ხელსაწყოებში გამოყენებული დიოდები, ტრანზისტორები, ინტეგრალური სქემები არის დამზადებული ახალ ნახევარგამტარულ მასალებზე , რომლის ელექტრო-ფიზიკური პარამეტრები ბევრად აღემატება მანამდე გამოყენებულებს. ახალი ნახევარგამტარული ნანო მასალების, ორგანზომილებიანი ელექტრონული აირით, მიღების ერთ-ერთ რთულ ტექნოლოგიას მიეკუთვნება მოლეკულურ-სხივური ეპიტაქსიის მეთოდი. ეს მეთოდი, რომელიც თხელი ფენების და სპეციალური მრავალშრიანი სტრუქტურების ეგზოტიკური ლაბორატორიული კვლევებიდან, გარდაიქმნა ერთ-ერთ საბაზისო ტექნოლოგიად მყარი სხეულების მიკრო და ნანო ელექტრონიკაში. ჩემი ნაშრომი ეძღვნება ნანოჰეტეროსტრუქტურების GaAs/AlGaAs, ორგანზომილებიანი ელექტრონული აირით, მოლეკულური სხივური ეპიტაქსიის ტექნოლოგიით მიღებას. ექსპერიმენტის მიმდინარეობისას იყო შესწავლილი და დამუშავებული ფენების საფენზე - (GaAs) ზრდის ტექნოლოგიური პარამეტრები: საფენის და წყაროების ტემპერატურა, დაფენის სიჩქარე, შრეების სისქე და ა.შ. მიღებული ჰეტეროსტრუქტურების ელექტრო-ფიზიკური პარამეტრების გასაზომად იყო გამოყენებული ვან-დერ-პაუს მეთოდი(ჰოლის მეთოდი ზეთხელი ფირებისათვის) და უკონტაქტო, ზემაღალი სიხშირის შთანთქმის, მაგნიტო წინააღმდეგობის გაზომვის მეთოდი. ჰეტეროსტრუქტურებში AlGaAs/GaAs იყო გაზომილი ძირითადი მატარებლების კონცენტრაცია და მათი ძვრადობა, აგრეთვე კუთრი წინააღმდეგობა(როგორც 300k ასევე 77K) დავადგინეთ ურთიერთდამოკიდებულება მსე-ის ტექნოლოგიური პარამეტრებსა და ნახევარგამტარული სტრუქტურების ელექტროფიზიკურ თვისებებს შორის, რამაც მოგვცა საშვალება გაგვეზარდა ჰეტეროსტრუქტურები AlGaAs/GaAs სასურველი კონფიგურაციით და მახასიათებლებით.